本仪器采用两种材料的传感器：砷化镓（GaAS）霍尔传感器和锑化铟（InSb）传感器，可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。仪器具有研究性和设计性两大特点，可用于理工科大学的基础性物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。
技术参数：    
●  励磁恒流源： 0～1A，连续可调，分辨率1mA，三位半数字电流表显示；    
●  恒流输出电流：0～3mA，连续可调，供锑化铟传感器工作的电流；    
●  电压表：量程±1999.9mV，四位半数字电压表显示，分辨率0.1mV；    
●  数字式毫特仪：四位半数字显示，测量范围0～±1999.9mT，分辨率0.1 mT。
实验内容：
●  研究磁阻传感器电阻与磁感强度的曲线；    
●  了解磁阻传感器的工作原理；    
●  深入研究磁阻传感器的交流特性。